深圳市南皇电子有限公司长期提供STGD3NC120H-1（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STGD3NC120H-1制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 1200V 16A IPAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：16A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：105W开关能量：236μJ（开），290μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：24nC25°C时Td（开/关）值：15ns/118ns测试条件：800V，3A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AASTGD3NC120H-1均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
