深圳市南皇电子有限公司长期提供STGD5H60DF（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STGD5H60DF制造商：STMicroelectronics描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A功率-最大值：83W开关能量：56μJ（开），78.5μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：43nC25°C时Td（开/关）值：30ns/140ns测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：134.5ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63STGD5H60DF均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
