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图片信息
STGD7NB60ST4图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:STGD7NB60ST4
  • 原始制造厂商:ST,意法半导体
  • 技术标准参数:IGBT 600V 15A 55W DPAK
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载STGD7NB60ST4的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:STGD7NB60ST4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):15A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,7A
  • 功率-最大值:55W
  • 开关能量:3.5mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:33nC
  • 25°C时Td(开/关)值:700ns/-
  • 测试条件:480V,7A,1 千欧,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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