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图片信息
STGF6M65DF2图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:STGF6M65DF2
  • 原始制造厂商:ST,意法半导体
  • 技术标准参数:IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载STGF6M65DF2的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:STGF6M65DF2
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:M
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):12A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):24A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,6A
  • 功率-最大值:24.2W
  • 开关能量:36μJ(开),200μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:21.2nC
  • 25°C时Td(开/关)值:15ns/90ns
  • 测试条件:400V,6A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):140ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3 整包
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