STGW100H65FB2-4（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGW100H65FB2-4

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGW100H65FB2-4

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：HB2

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：145A

电流-集电极脉冲(Icm)：300A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，100A

功率-最大值：441W

开关能量：1.06mJ (开), 1.14mJ (关)

输入类型：标准

栅极电荷：288nC

25°C时Td（开/关）值：23ns/141ns

测试条件：SOT-323FL

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-4

STGW100H65FB2-4均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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