STGW25S120DF3（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGW25S120DF3

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IGBT 1200V 25A TO247

产品应用分类：IGBT - 单路

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技术参数详解：

ST意法半导体公司完整型号: STGW25S120DF3

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: IGBT 1200V 25A TO247

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，25A

功率 - 最大值: 375W

开关能量: 830μJ（开），2.37mJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 80nC

25°C 时 Td（开/关）值: 31ns/147ns

测试条件: 600V，25A，15欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 265ns

封装/外壳: TO-247-3

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247-3

STGW25S120DF3均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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