STGW39NC60VD（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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STGW39NC60VD - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持，ST代理稳定货源。

图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGW39NC60VD

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IGBT 600V 80A 250W TO247

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGW39NC60VD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 80A 250W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH?

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：80A

电流-集电极脉冲(Icm)：220A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A

功率-最大值：250W

开关能量：333μJ（开），537μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：126nC

25°C时Td（开/关）值：33ns/178ns

测试条件：390V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：45ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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