深圳市南皇电子有限公司长期提供STGW60H65DF（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STGW60H65DF制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 650V 120A 360W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：120A电流-集电极脉冲(Icm)：240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，60A功率-最大值：360W开关能量：1.5mJ（开），1.1mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：206nC25°C时Td（开/关）值：67ns/165ns测试条件：400V，60A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：62ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3STGW60H65DF均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
