深圳市南皇电子有限公司长期提供STI18N65M2（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STI18N65M2制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? M2零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：330 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：770pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：110W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAKSTI18N65M2均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
