深圳市南皇电子有限公司长期提供STL18NM60N（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STL18NM60N制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? II零件状态：不適用於新設計FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.1A（Ta），12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：310 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Ta），110W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerFlat?（8x8）HVSTL18NM60N均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
