深圳市南皇电子有限公司长期提供STU1HN60K3（品牌: ST）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：STU1HN60K3制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SuperMESH3?零件状态：不適用於新設計FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 600mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.5nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：27W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAKSTU1HN60K3均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
