STW33N60M6（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STW33N60M6

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V TO247

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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技术参数详解：

制造商产品型号：STW33N60M6

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V TO247

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：MDmesh? M6

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tj）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：通孔

器件封装：TO-247

STW33N60M6均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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