VNN1NV04TR-E（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：VNN1NV04TR-E

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223

产品应用分类：电源管理IC - 配电开关，负载驱动器

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技术参数详解：

制造商产品型号：VNN1NV04TR-E

制造商：STMicroelectronics

描述：IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223

产品系列：电源管理IC - 配电开关，负载驱动器

包装：卷带（TR）

系列：OMNIFET II?, VIPower?

零件状态：停产

开关类型：通用

输出数：1

比率-输入:输出：1：1

输出配置：低端

输出类型：N 通道

接口：开/关

电压-负载：36V（最大）

电压-供电(Vcc/Vdd)：不需要

电流-输出（最大值）：1.7A

导通电阻（典型值）：250 毫欧（最大）

输入类型：非反相

特性：-

故障保护：限流（固定），超温，过压

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：SOT-223

VNN1NV04TR-E均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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