K3RG6G60MM-MGCJ（三星半导体）-深圳市南皇电子有限公司

深圳市南皇电子有限公司长期提供K3RG6G60MM-MGCJ（品牌: Samsung）充足现货订购、免费样品

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：K3RG6G60MM-MGCJ

技术标准参数：SAMSUNG DRAM NAND

产品应用分类：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

三星芯片型号：K3RG6G60MM-MGCJ

制造商：SAMSUNG（三星半导体）

功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

容量：48Gb

架构：x64

速率：3733 Mbps

工作电压：1.8 / 1.1 / 1.1 V

工作温度：-25 ~ 85 °C

封装：366FBGA

产品状态：批量生产

K3RG6G60MM-MGCJ均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Samsung

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