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K3UH6H60AM-NGCJ - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持,三星半导体代理稳定货源。
图片信息
K3UH6H60AM-NGCJ图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:K3UH6H60AM-NGCJ
  • 原始制造厂商:Samsung,三星半导体
  • 技术标准参数:SAMSUNG DRAM NAND
  • 产品应用分类:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 点击此处下载K3UH6H60AM-NGCJ的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 三星芯片型号:K3UH6H60AM-NGCJ
  • 制造商:SAMSUNG(三星半导体)
  • 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:48Gb
  • 架构:x64
  • 速率:3733 Mbps
  • 工作电压:1.8 / 1.1 / 0.6 V
  • 工作温度:-25 ~ 85 °C
  • 封装:366FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • K3UH6H60AM-NGCJ均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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