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K4B2G1646F-BCK0 - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持，三星半导体代理稳定货源。
图片信息
K4B2G1646F-BCK0图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：K4B2G1646F-BCK0
  • 原始制造厂商：Samsung，三星半导体
  • 技术标准参数：SAMSUNG DRAM NAND
  • 产品应用分类：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 点击此处下载K4B2G1646F-BCK0的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 三星芯片型号：K4B2G1646F-BCK0
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：2Gb
  • 架构：128M x 16
  • 速率：1600 Mbps
  • 工作电压：1.5 V
  • 工作温度：0 ~ 85 °C
  • 封装：96FBGA
  • 产品状态：批量生产
  • K4B2G1646F-BCK0均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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