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K4UBE3D4AM-GHCL - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持，三星半导体代理稳定货源。
图片信息
K4UBE3D4AM-GHCL图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：K4UBE3D4AM-GHCL
  • 原始制造厂商：Samsung，三星半导体
  • 技术标准参数：SAMSUNG DRAM NAND
  • 产品应用分类：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 点击此处下载K4UBE3D4AM-GHCL的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
  • 现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！
    • 技术参数详解：
  • 三星芯片型号：K4UBE3D4AM-GHCL
  • 制造商：SAMSUNG（三星半导体）
  • 功能类别：低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量：32Gb
  • 架构：x32
  • 速率：4266 Mbps
  • 工作电压：1.8 / 1.1 / 0.6 V
  • 工作温度：-40 ~ 105 °C
  • 封装：200FBGA
  • 产品状态：批量生产
  • K4UBE3D4AM-GHCL均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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