KLUDG8J1ZD-B0CQ（三星半导体）-深圳市南皇电子有限公司

深圳市南皇电子有限公司长期提供KLUDG8J1ZD-B0CQ（品牌: Samsung）充足现货订购、免费样品

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：KLUDG8J1ZD-B0CQ

技术标准参数：SAMSUNG DRAM NAND

产品应用分类：嵌入式存储器

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

三星芯片型号：KLUDG8J1ZD-B0CQ

制造商：SAMSUNG（三星半导体）

功能类别：嵌入式存储器

版本：UFS 2.1

容量：128GB

工作电压：1.8/3.3 V

接口：G3 2Lane

封装尺寸：11.5 x 13 x 1.2 mm

工作温度：-40 ~ 105 °C

产品状态：样品

KLUDG8J1ZD-B0CQ均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Samsung

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