KMGD6001BM-B421（三星半导体）-深圳市南皇电子有限公司

深圳市南皇电子有限公司长期提供KMGD6001BM-B421（品牌: Samsung）充足现货订购、免费样品

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：KMGD6001BM-B421

技术标准参数：SAMSUNG DRAM NAND

产品应用分类：多制层封装芯片

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

三星芯片型号：KMGD6001BM-B421

制造商：SAMSUNG（三星半导体）

功能类别：多制层封装芯片

eStorage 密度：32 GB

eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1

DRAM 密度：24 Gb

DRAM 类型：三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

封装：221FBGA

速率：1866 Mbps

产品状态：批量生产

KMGD6001BM-B421均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Samsung

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