M386ABG40M50-CYF（三星半导体）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：M386ABG40M50-CYF

技术标准参数：SAMSUNG DRAM NAND

产品应用分类：模块

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

三星模块型号：M386ABG40M50-CYF

制造商：SAMSUNG（三星半导体）

功能类别：模块

DDR：四代双倍数据率同步动态随机存储器

DIMM 类型：LRDIMM

容量：256GB

内存区块组织：8R x 4

速率：2933 Mbps

工作电压：1.2 V

组件成分：(4H 3DS 16G x 4) x 36

M386ABG40M50-CYF均从三星半导体代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Samsung

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