深圳市南皇电子有限公司长期提供CSD17579Q3AT（品牌: TI）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：CSD17579Q3AT制造商：Texas Instruments描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.2 毫欧 @ 8A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：998pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），29W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSONP（3x3.15）CSD17579Q3AT均从TI代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
