CSD19501KCS（TI）-深圳市南皇电子有限公司

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CSD19501KCS - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持，TI代理稳定货源。

图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：CSD19501KCS

技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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技术参数详解：

制造商产品型号：CSD19501KCS

制造商：Texas Instruments

描述：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：NexFET?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：80V

25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3980pF @ 40V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：217W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220-3

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