深圳市南皇电子有限公司长期提供CSD19537Q3T（品牌: TI）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：CSD19537Q3T制造商：Texas Instruments描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），83W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSON（3.3x3.3）CSD19537Q3T均从TI代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
