深圳市南皇电子有限公司长期提供CSD87503Q3ET（品牌: TI）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：CSD87503Q3ET制造商：Texas Instruments描述：30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共源FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1020pF @ 15V功率-最大值：15.6W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFNCSD87503Q3ET均从TI代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
