LM5112SD/NOPB（TI）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：LM5112SD/NOPB

技术标准参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器

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技术参数详解：

制造商产品型号：LM5112SD/NOPB

制造商：Texas Instruments

描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器

包装：卷带（TR）,剪切带（CT）

系列：-

零件状态：有源

驱动配置：低端

通道类型：单路

驱动器数：1

栅极类型：N 沟道 MOSFET

电压-供电：3.5V ~ 14V

逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.3V

电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，7A

输入类型：反相，非反相

高压侧电压-最大值（自举）：-

上升/下降时间（典型值）：14ns，12ns

工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

产品封装：6-WDFN

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