深圳市南皇电子有限公司长期提供2SJ312(Q)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：2SJ312(Q)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 10V功率 - 最大值：40W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装：TO-220FL2SJ312(Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
