深圳市南皇电子有限公司长期提供2SJ360(F)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：2SJ360(F)制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：1A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：730 毫欧 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：155pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PW-MINI2SJ360(F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
