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图片信息
2SK3320-GR(TE85L,F图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:2SK3320-GR(TE85L,F
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:JFET DUAL N-CH USV
  • 产品应用分类:JFET结点场效应管
  • 点击此处下载2SK3320-GR(TE85L,F的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 东芝半导体公司完整型号:2SK3320-GR(TE85L,F
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:JFET DUAL N-CH USV
  • 系列:-
  • FET 类型:N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
  • 漏源极电压 (Vdss):-
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):2.6mA @ 10V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值:-
  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13pF @ 10V
  • 电阻 - RDS(开):-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 供应商器件封装:USV
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 2SK3320-GR(TE85L,F均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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