深圳市南皇电子有限公司长期提供2SK3667(Q)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：2SK3667(Q)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V功率 - 最大值：45W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220SIS2SK3667(Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
