2SK879-GR(TE85L,F)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：2SK879-GR(TE85L,F)

技术标准参数：JFET N-CH 0.1W USM

产品应用分类：晶体管 - JFET

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

制造商产品型号：2SK879-GR(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：JFET N-CH 0.1W USM

系列：晶体管 - JFET

零件状态：有源

FET类型：N 通道

电压-击穿(V(BR)GSS)：-

漏源电压（Vdss）：-

不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：2.6mA @ 10V

漏极电流(Id)-最大值：-

不同Id时电压-截止(VGSoff)：400mV @ 100nA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8.2pF @ 10V

电阻-RDS(On)：-

功率-最大值：100mW

工作温度：125°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SC-70，SOT-323

2SK879-GR(TE85L,F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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