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图片信息
2SK879-GR(TE85L,F)图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:2SK879-GR(TE85L,F)
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:JFET N-CH 0.1W USM
  • 产品应用分类:晶体管 - JFET
  • 点击此处下载2SK879-GR(TE85L,F)的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:2SK879-GR(TE85L,F)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:JFET N-CH 0.1W USM
  • 系列:晶体管 - JFET
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 电压-击穿(V(BR)GSS):-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):2.6mA @ 10V
  • 漏极电流(Id)-最大值:-
  • 不同Id时电压-截止(VGSoff):400mV @ 100nA
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V
  • 电阻-RDS(On):-
  • 功率-最大值:100mW
  • 工作温度:125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SC-70,SOT-323
  • 2SK879-GR(TE85L,F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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