CMZB18(TE12L,Q)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：CMZB18(TE12L,Q)

技术标准参数：DIODE ZENER 18V 1W MFLAT

产品应用分类：单齐纳二极管

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

东芝半导体公司完整型号：CMZB18(TE12L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：DIODE ZENER 18V 1W MFLAT

系列：-

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：18V

容差：±10%

功率 - 最大值：1W

阻抗（最大值）(Zzt)：30 欧姆

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：10μA @ 13V

不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA

工作温度：-40°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOD-128

供应商器件封装：M-FLAT（2.4x3.8）

CMZB18(TE12L,Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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