深圳市南皇电子有限公司长期提供GT10J312(Q)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：GT10J312(Q)制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：10A电流-集电极脉冲(Icm)：20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A功率-最大值：60W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：400ns/400ns测试条件：300V，10A，100 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：200ns工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63GT10J312(Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
