深圳市南皇电子有限公司长期提供GT30J324(Q)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：GT30J324(Q)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN系列：-IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：60A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A功率 - 最大值：170WSwitching Energy：1mJ （开）， 800μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：-25°C 时 Td（开/关）值：90ns/300nsTest Condition：300V， 30A， 24 欧姆， 15V反向恢复时间 (trr)：60ns封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-3P（N）GT30J324(Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
