GT50J121(Q)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：GT50J121(Q)

原始制造厂商：Toshiba，东芝半导体

技术标准参数：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：GT50J121(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：50A

电流-集电极脉冲(Icm)：100A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，50A

功率-最大值：240W

开关能量：1.3mJ（开），1.34mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：90ns/300ns

测试条件：300V，50A，13 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3PL

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