GT60M303(Q)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：GT60M303(Q)

技术标准参数：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH

产品应用分类：单路IGBT

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技术参数详解：

东芝半导体公司完整型号：GT60M303(Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：900V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A

功率 - 最大值：170W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：460ns/600ns

Test Condition：-

反向恢复时间 (trr)：2.5μs

封装/外壳：TO-3PL

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P（LH）

GT60M303(Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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