GT60N321(Q)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：GT60N321(Q)

原始制造厂商：Toshiba，东芝半导体

技术标准参数：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：GT60N321(Q)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：1000V

电流-集电极(Ic)（最大值）：60A

电流-集电极脉冲(Icm)：120A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A

功率-最大值：170W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：330ns/700ns

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：2.5μs

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3PL

GT60N321(Q)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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