深圳市南皇电子有限公司长期提供HN1B01FUGRLFT（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：HN1B01FUGRLFT制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN系列：-晶体管类型：NPN，PNP电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，100mA电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，6V功率 - 最大值：200mW，210mW频率 - 跃迁：150MHz安装类型：表面贴装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：US6HN1B01FUGRLFT均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
