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图片信息
HN1C03FU-B(TE85L,F图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:HN1C03FU-B(TE85L,F
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
  • 产品应用分类:晶体管阵列
  • 点击此处下载HN1C03FU-B(TE85L,F的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 东芝半导体公司完整型号:HN1C03FU-B(TE85L,F
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):20V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):350 @ 4mA,2V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 频率 - 跃迁:30MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:US6
  • HN1C03FU-B(TE85L,F均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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