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图片信息
HN3C10FUTE85LF图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：HN3C10FUTE85LF
  • 原始制造厂商：Toshiba，东芝半导体
  • 技术标准参数：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 点击此处下载HN3C10FUTE85LF的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：HN3C10FUTE85LF
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电压-集射极击穿（最大值）：12V
  • 频率-跃迁：7GHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.1dB @ 1GHz
  • 增益：11.5dB
  • 功率-最大值：200mW
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：80mA
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • HN3C10FUTE85LF均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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    2SA1721OTE85LF
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    TA48S00AF(T6L1,Q)
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