JDP2S12CR(TE85L,Q（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：JDP2S12CR(TE85L,Q

技术标准参数：RF DIODE PIN 180V S-FLAT

产品应用分类：二极管 - 射频

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技术参数详解：

制造商产品型号：JDP2S12CR(TE85L,Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：RF DIODE PIN 180V S-FLAT

系列：二极管 - 射频

零件状态：停产

二极管类型：PIN - 单

电压-峰值反向（最大值）：180V

电流-最大值：1A

不同?Vr、F时电容：1.3pF @ 40V，1MHz

不同?If、F时电阻：700 毫欧 @ 10mA，100MHz

功率耗散（最大值）：-

工作温度：175°C（TJ）

封装：SOD-123F

JDP2S12CR(TE85L,Q均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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