深圳市南皇电子有限公司长期提供MT3S111P(TE12L,F)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：MT3S111P(TE12L,F)制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频零件状态：有源晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：6V频率-跃迁：8GHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.25dB @ 1GHz增益：10.5dB功率-最大值：1W不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-243AAMT3S111P(TE12L,F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
