MT3S111(TE85L,F)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：MT3S111(TE85L,F)

技术标准参数：RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 射频

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

制造商产品型号：MT3S111(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频

零件状态：有源

晶体管类型：NPN

电压-集射极击穿（最大值）：6V

频率-跃迁：11.5GHz

噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.2dB @ 1GHz

增益：12dB

功率-最大值：700mW

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MT3S111(TE85L,F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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