深圳市南皇电子有限公司长期提供RN1113MFV(TPL3)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：RN1113MFV(TPL3)制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM系列：-晶体管类型：NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：47k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）频率 - 跃迁：-功率 - 最大值：150mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-723供应商器件封装：VESMRN1113MFV(TPL3)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
