RN1130MFV(TL3,T)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：RN1130MFV(TL3,T)

技术标准参数：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

产品应用分类：单路﹐预偏压式晶体管

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

东芝半导体公司完整型号：RN1130MFV(TL3,T)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列：-

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：100k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：100k

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

RN1130MFV(TL3,T)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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