RN1506(TE85L,F)（Toshiba）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：RN1506(TE85L,F)

技术标准参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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技术参数详解：

制造商产品型号：RN1506(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：停产

晶体管类型：2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V

电阻器-基极(R1)：4.7 千欧

电阻器-发射极(R2)：47 千欧

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率-跃迁：250MHz

功率-最大值：300mW

安装类型：表面贴装型

封装：SC-74A，SOT-753

RN1506(TE85L,F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Toshiba

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