深圳市南皇电子有限公司长期提供RN1709JE(TE85L,F)（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：RN1709JE(TE85L,F)制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：NPN X 2 BRT, Q1BSR=47K?, Q1BER=2系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置零件状态：有源晶体管类型：2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基极(R1)：47 千欧电阻器-发射极(R2)：22 千欧不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA电流-集电极截止（最大值）：500nA频率-跃迁：250MHz功率-最大值：100mW安装类型：表面贴装型封装：SOT-553RN1709JE(TE85L,F)均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
