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图片信息
RN2308(TE85L,F)图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:RN2308(TE85L,F)
  • 原始制造厂商:Toshiba,东芝半导体
  • 技术标准参数:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
  • 点击此处下载RN2308(TE85L,F)的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:RN2308(TE85L,F)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器-基极(R1):22 kOhms
  • 电阻器-发射极(R2):47 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 电流-集电极截止(最大值):500nA
  • 频率-跃迁:200MHz
  • 功率-最大值:100mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SC-70,SOT-323
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