深圳市南皇电子有限公司长期提供SSM6J08FUTE85LF（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：SSM6J08FUTE85LF制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A US6系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 650mA， 4V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：370pF @ 10V功率 - 最大值：300mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：US6SSM6J08FUTE85LF均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
