深圳市南皇电子有限公司长期提供SSM6J212FE(TE85L,F（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：SSM6J212FE(TE85L,F制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40.7 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：970pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）SSM6J212FE(TE85L,F均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
