深圳市南皇电子有限公司长期提供SSM6J503NU,LF(T（品牌: Toshiba）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
东芝半导体公司完整型号：SSM6J503NU,LF(T制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A系列：-FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32.4 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.8nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：840pF @ 10V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-UDFN （2x2）SSM6J503NU,LF(T均从Toshiba代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
